Unser patentiertes Verfahren erlaubt es uns, Hochleistungsanoden aus reinem Silizium im industriellen Stil herzustellen
Im Zentrum unserer Technologieplattform steht die Blitzlampenausheilung (FLA; engl. Flash Lamp Annealing) zur Herstellung stabiler Nanostrukturen in einer Schicht aus reinem Silizium. Dafür werden Standardkupferträgerfolien verfahrensunabhängig zum Beispiel durch chemische Gasphasenabscheidung, Sputtern, oder mittels Elektronenstrahlverdampfer mit einem dünnen Film aus reinem Silizium beschichtet. Im nächsten Schritt erzeugen wir mit einer Hochleistungsblitzlampe eine einzigartige Nano-Struktur, die zum einen Kupfer und Silizium mittels Dendriten fest miteinander verbindet und zum anderen winzige Löcher und Hohlräume in der Siliziumschicht entstehen lässt. Die Oberfläche der Siliziumanode bleibt dabei glatt und lässt sich dadurch gut versiegeln. Hiermit werden alle bekannten Probleme reiner Siliziumanoden wie Volumenausdehnung, Kontaktverlust und Feststoff-Elektrolyt-Grenzphase minimiert. Die Herstellung der Nanostruktur konnten wir bereits so weit optimieren, dass unter Laborbedingungen Spitzenwerte bei Kapazität und Laderate erreicht werden.
Die NorcSi-Anode ist massenmarkttauglich
Durch die Schaffung eines dünnen Films aus reinem Silizium können wir die Anodenherstellung im industriellen Maßstab in einem geschlossenen Produktionsprozess im Rolle-zu-Rolle Verfahren auf 180 mm Standard-Trägerfolien durchführen. Die hochgradige Skalierbarkeit ist ein weiteres Alleinstellungsmerkmal, welches uns wesentlich von allen anderen Ansätzen wie Silizium-Nanodrähten oder -Nanopartikeln absetzt, die wesentlich aufwändiger und hauptsächlich im Sheet-to-Sheet Verfahren hergestellt werden.